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氫氣發(fā)生器在CVDMOCVD行業(yè)的運(yùn)用

更新時(shí)間:2020-04-22點(diǎn)擊次數(shù):3655
   氫氣在半導(dǎo)體行業(yè)中的應(yīng)用
  半導(dǎo)體制造技術(shù)作為信息時(shí)代制造的基礎(chǔ),堪比工業(yè)時(shí)代的機(jī)床,是整個(gè)社會(huì)發(fā)展的基石和原動(dòng)力。在產(chǎn)業(yè)分工格局重塑的關(guān)鍵時(shí)期,我國也提出了《中國制造2025》,以通過智能制造實(shí)現(xiàn)由制造大國向制造強(qiáng)國的轉(zhuǎn)換。智能制造(工業(yè)4.0)的實(shí)現(xiàn),以各種信息器件的使用為基礎(chǔ),半導(dǎo)體制造技術(shù)正是其制造的核心技術(shù)。
  而氫氣作為半導(dǎo)體制造中的氣源,在半導(dǎo)體材料及器件制備中起到至關(guān)重要的作用。可在光電器件、傳感器、IC制造中應(yīng)用。
  目前半導(dǎo)體工藝中氫氣主要用于退火、外延生長、干法刻蝕等工藝。
  退火是通過高溫加熱釋放材料內(nèi)部應(yīng)力從而改善材料質(zhì)量的一種材料處理辦法,氫氣作為保護(hù)氣可以起到防止氧化等作用,多用于薄膜生長后釋放應(yīng)力。
  氫氣也可以應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積(ChemicalVaporDepositon)薄膜生長。化學(xué)氣相沉積是一種利用固態(tài)-氣態(tài)反應(yīng)、氣態(tài)-氣態(tài)反應(yīng)生成薄膜的設(shè)備,如在CVD工藝中作為還原性氣體制備二維材料MOS2、WS2等;等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝中作為還原性氣體制備石墨烯、單晶硅、碳化硅等;電子回旋共振化學(xué)氣相沉積(ECR-CVD)中作為反應(yīng)氣體在單晶硅襯底上制備金剛石薄膜;金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)設(shè)備中作為載氣制備光電材料GaN、AlGaN等。同時(shí)氫氣也可以在原子層沉積(AtomicLayerDeposition)中使用。
  氫氣在等離子體刻蝕(RIE/ICP)中作為反應(yīng)氣體出現(xiàn),等離子體刻蝕原理是利用反應(yīng)氣體離化后與材料發(fā)生反應(yīng)生成揮發(fā)性物質(zhì),從而實(shí)現(xiàn)材料圖形化,是半導(dǎo)體器件制備的*工藝。
  普拉勒氫氣發(fā)生器目前已大量應(yīng)用在以上工藝中,為半導(dǎo)體材料及器件制備提供好的氣源。
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